三星发布第三代NFC芯片 首次使用45nm嵌入式闪存工艺


2014-2-27 9:52

  三星在MWC 2014上发布其第三代NFC近场通信芯片,在业内第一次使用了45nm嵌入式闪存工艺,降低功耗的同时也可以简单、安全地更新固件。

  它还拥有业内最小的天线,使用了三星专利的智能天线(Smart Antenna)技术,优化了收发两端的阻抗,从而改进灵敏度、降低功耗。

三星发布第三代NFC芯片 首次使用45nm嵌入式闪存工艺

  其次三星的第一款无线Wi-Fi芯片“S5N2120”,规格不高,仅支持802.11b/g/n 2.4GHz,没有双频也没有802.11ac,但是体积极小。

  该芯片集成了微控制器(MCU)、功率放大器、电源管理单元、音频解码器、麦克风,可用于Wi-Fi扬声器、耳机、远程控制、数字和体育摄像头、智能冷热计、传感器和其他IoT、M2M设备。

  两款芯片均已经向客户提供样品,2014年第二季度量产。

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